APTC60AM45B1G
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTC60AM45B1G
Symbol TME:
APTC60AM45B1G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 600V | |
Prąd drenu | 38A | |
Obudowa | SP1 | |
Topologia | boost chopper, półmostek MOSFET | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 45mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 130A | |
Moc rozpraszana | 250W | |
Technologia | CoolMOS™ | |
Napięcie bramka-źródło | ±20V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto80 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTC60AM45B1GIlość sztuk (Wielokrotność: 12)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 12 szt - 68.81 EURCena brutto dla ilości od 12 szt - 84.63 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta