APTC60AM45BC1G
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTC60AM45BC1G
Symbol TME:
APTC60AM45BC1G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 600V | |
Prąd drenu | 38A | |
Obudowa | SP1 | |
Topologia | boost chopper, półmostek MOSFET | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 45mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 130A | |
Moc rozpraszana | 250W | |
Technologia | CoolMOS™, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±20V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto80 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTC60AM45BC1GIlość sztuk (Wielokrotność: 11)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 11 szt - 71.52 EURCena brutto dla ilości od 11 szt - 87.97 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta