APTGT150DH170G
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek asymetryczny; Urmax: 1,7kV
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTGT150DH170G
Symbol TME:
APTGT150DH170G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | mostek asymetryczny | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 150A | |
Obudowa | SP6C | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 300A | |
Technologia | Field Stop, Trench | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT150DH170GIlość sztuk (Wielokrotność: 5)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 5 szt - 191.19 EURCena brutto dla ilości od 5 szt - 235.16 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta