APTGT50DH170TG
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek asymetryczny; Urmax: 1,7kV
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTGT50DH170TG
Symbol TME:
APTGT50DH170TG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | mostek asymetryczny, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 50A | |
Obudowa | SP4 | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, lutowanie | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 100A | |
Technologia | Field Stop, Trench | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto160 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50DH170TGIlość sztuk (Wielokrotność: 9)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 9 szt - 91.49 EURCena brutto dla ilości od 9 szt - 112.53 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta