APTM100A13DG
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100A13DG
Symbol TME:
APTM100A13DG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 49A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody szeregowe | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 156mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 240A | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100A13DGIlość sztuk (Wielokrotność: 5)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 5 szt - 187.12 EURCena brutto dla ilości od 5 szt - 230.16 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta