APTM100A13SCG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100A13SCG
Symbol TME:
APTM100A13SCG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 49A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody szeregowe + diody równoległe | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 156mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 240A | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100A13SCGIlość sztuk (Wielokrotność: 4)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 4 szt - 225.87 EURCena brutto dla ilości od 4 szt - 277.82 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta