APTM100DAM90G
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 59A; SP6C; Topologia: boost chopper
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100DAM90G
Symbol TME:
APTM100DAM90G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 59A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | boost chopper | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,105Ω | |
Prąd drenu w impulsie | 312A | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100DAM90GIlość sztuk (Wielokrotność: 6)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 6 szt - 153.56 EURCena brutto dla ilości od 6 szt - 188.87 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta