APTM100H45STG
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; POWER MOS 7®
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100H45STG
Symbol TME:
APTM100H45STG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 14A | |
Obudowa | SP4 | |
Topologia | mostek H + diody równoległe + diody szeregowe, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,54Ω | |
Prąd drenu w impulsie | 72A | |
Moc rozpraszana | 357W | |
Technologia | POWER MOS 7® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto160 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H45STGIlość sztuk (Wielokrotność: 7)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 7 szt - 127.69 EURCena brutto dla ilości od 7 szt - 157.05 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta