APTM100TA35SCTPG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1kV; 17A; SP6P; Press-in PCB; Idm: 88A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100TA35SCTPG
Symbol TME:
APTM100TA35SCTPG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 17A | |
Obudowa | SP6P | |
Topologia | termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,42Ω | |
Prąd drenu w impulsie | 88A | |
Moc rozpraszana | 390W | |
Technologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto250 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100TA35SCTPGIlość sztuk (Wielokrotność: 3)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 3 szt - 265.08 EURCena brutto dla ilości od 3 szt - 326.05 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta