APTM100UM45DAG
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 160A; SP6C; Idm: 860A; 5kW; Ugs: ±30V
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100UM45DAG
Symbol TME:
APTM100UM45DAG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 160A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | pojedynczy tranzystor + dioda szeregowa | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 52mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 860A | |
Moc rozpraszana | 5kW | |
Technologia | POWER MOS 7® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100UM45DAGIlość sztuk (Wielokrotność: 3)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 3 szt - 280.61 EURCena brutto dla ilości od 3 szt - 345.15 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta