APTM100UM65DAG
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3,25kW
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100UM65DAG
Symbol TME:
APTM100UM65DAG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 110A | |
Obudowa | SP6C | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 78mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 580A | |
Moc rozpraszana | 3,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100UM65DAGIlość sztuk (Wielokrotność: 4)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 4 szt - 219.18 EURCena brutto dla ilości od 4 szt - 269.59 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta