APTM100UM65SCAVG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1kV; 110A; SP6; przykręcany; Idm: 580A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM100UM65SCAVG
Symbol TME:
APTM100UM65SCAVG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1kV | |
Prąd drenu | 110A | |
Obudowa | SP6 | |
Topologia | pojedynczy tranzystor + dioda szeregowa + dioda równoległa | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 78mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 580A | |
Moc rozpraszana | 3,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100UM65SCAVGIlość sztuk (Wielokrotność: 3)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 3 szt - 349.79 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 430.25 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta