APTM10DSKM09T3G
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 100A; SP3; Press-in PCB; Idm: 430A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM10DSKM09T3G
Symbol TME:
APTM10DSKM09T3G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 100V | |
Prąd drenu | 100A | |
Obudowa | SP3 | |
Topologia | buck chopper x2, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 10mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 430A | |
Moc rozpraszana | 390W | |
Technologia | POWER MOS 5® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto110 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DSKM09T3GIlość sztuk (Wielokrotność: 12)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 12 szt - 65.17 EURCena brutto dla ilości od 12 szt - 80.16 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta