APTM10DUM02G
Moduł; tranzystor/tranzystor,wspólne źródło; 100V; 370A; SP6C
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM10DUM02G
Symbol TME:
APTM10DUM02G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | tranzystor/tranzystor, wspólne źródło | |
Napięcie dren-źródło | 100V | |
Prąd drenu | 370A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | MOSFET x2 | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 2,5mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 1900A | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | POWER MOS 5® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DUM02GIlość sztuk (Wielokrotność: 4)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 4 szt - 204.11 EURCena brutto dla ilości od 4 szt - 251.06 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta