APTM120DA30CT1G
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM120DA30CT1G
Symbol TME:
APTM120DA30CT1G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 23A | |
Obudowa | SP1 | |
Topologia | boost chopper, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,36Ω | |
Prąd drenu w impulsie | 195A | |
Moc rozpraszana | 657W | |
Technologia | POWER MOS 8®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto80 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GIlość sztuk (Wielokrotność: 12)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 12 szt - 64.39 EURCena brutto dla ilości od 12 szt - 79.20 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta