APTM120DA30T1G
Moduł; dioda/tranzystor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM120DA30T1G
Symbol TME:
APTM120DA30T1G
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 23A | |
Obudowa | SP1 | |
Topologia | boost chopper, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,36Ω | |
Prąd drenu w impulsie | 195A | |
Moc rozpraszana | 657W | |
Technologia | POWER MOS 8® | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto80 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30T1GIlość sztuk (Wielokrotność: 15)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 15 szt - 54.08 EURCena brutto dla ilości od 15 szt - 66.53 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta