APTM50AM24SCG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1,25kW
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM50AM24SCG
Symbol TME:
APTM50AM24SCG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 500V | |
Prąd drenu | 110A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody szeregowe + diody równoległe | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 28mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 600A | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM50AM24SCGIlość sztuk (Wielokrotność: 4)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 4 szt - 233.32 EURCena brutto dla ilości od 4 szt - 286.98 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta