APTM50AM38SCTG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
APTM50AM38SCTG
Symbol TME:
APTM50AM38SCTG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 500V | |
Prąd drenu | 67A | |
Obudowa | SP4 | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody szeregowe + diody równoległe, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 45mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 360A | |
Moc rozpraszana | 694W | |
Technologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto160 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM50AM38SCTGIlość sztuk (Wielokrotność: 6)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 6 szt - 144.26 EURCena brutto dla ilości od 6 szt - 177.44 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta