Przeglądasz stronę dla klientów z: Polska. Sugerowana wersja serwisu dla Ciebie to USA / US

+1 300 000 produktów w ofercie

6000 paczek dziennie

+300 000 klientów ze 150 krajów

Zadzwoń +48 42 645 55 55

Quick Buy Ulubione

Zmiany w systemie e-Faktur (KSeF) - Ważne informacje dla klientów biznesowych.

Tutaj dowiesz się więcej

Trwa przetwarzanie danych

Twój limit kredytowy został przekroczony. Zamówienie zostanie przyjęte, ale nie będzie zrealizowane. Nieustalony zostanie również harmonogram dostaw dla zamówionych artykułów. Skontaktuj się z pracownikiem TME.

Operacja została pomyślnie wykonana.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie.

Producent	DIODES INCORPORATED
Typ tranzystora	N-MOSFET
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	20V
Prąd drenu	0,23A
Moc rozpraszana	0,3W
Obudowa	SOT523
Napięcie bramka-źródło	±10V
Rezystancja w stanie przewodzenia	15Ω
Montaż	SMD
Rodzaj opakowania	rolka 7 cali, taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany
Wersja	ESD

DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED - Tranzystor N-MOSFET

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,23A; 0,3W; SOT523; ESD

Oznaczenie producenta:
DMN26D0UT-7

Symbol TME:
DMN26D0UT-7

Specyfikacja

ZOBACZ WIDEO