F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES - Moduł IGBT
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x2; Ic: 75A
Oznaczenie producenta: F475R12KS4BOSA1
F475R12KS4BOSA1
Symbol TME: F475R12KS4BOSA1
Specyfikacja
Producent | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | tranzystor/tranzystor | |
Topologia | półmostek IGBT x2, termistor NTC | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 75A | |
Obudowa | AG-ECONO2-6 | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 150A | |
Moc rozpraszana | 500W | |
Technologia | EconoPACK™ 2 | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto180 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT INFINEON TECHNOLOGIES
* F475R12KS4BOSA1Skorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Produkt wycofany z oferty