Przeglądasz stronę dla klientów z: Polska. Sugerowana wersja serwisu dla Ciebie to USA / US

+1 500 000 produktów w ofercie

6000 paczek dziennie

+300 000 klientów ze 150 krajów

Zadzwoń +48 42 645 55 55

Quick Buy Ulubione

Zmiany w systemie e-Faktur (KSeF) - Ważne informacje dla klientów biznesowych.

Tutaj dowiesz się więcej

Trwa przetwarzanie danych

Twój limit kredytowy został przekroczony. Zamówienie zostanie przyjęte, ale nie będzie zrealizowane. Nieustalony zostanie również harmonogram dostaw dla zamówionych artykułów. Skontaktuj się z pracownikiem TME.

Operacja została pomyślnie wykonana.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie.

Producent	ONSEMI
Typ tranzystora	N-MOSFET x2
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	100V
Prąd drenu	1A
Moc rozpraszana	0,96W
Obudowa	SuperSOT-6
Napięcie bramka-źródło	±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia	976mΩ
Montaż	SMD
Rodzaj opakowania	rolka, taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany

FDC3601N ONSEMI - Tranzystor N-MOSFET x2

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6

Oznaczenie producenta:
FDC3601N

Symbol TME:
FDC3601N

Specyfikacja

ZOBACZ WIDEO