IRFP4668PBFINFINEON TECHNOLOGIES-Tranzystor N-MOSFET
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Oznaczenie producenta: IRFP4668PBF
IRFP4668PBF
Symbol TME: IRFP4668PBF
Specyfikacja
Producent | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ tranzystora | N-MOSFET | |
Technologia | HEXFET® | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Napięcie dren-źródło | 200V | |
Prąd drenu | 130A | |
Moc rozpraszana | 520W | |
Obudowa | TO247AC | |
Napięcie bramka-źródło | ±30V | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 9,7mΩ | |
Montaż | THT | |
Ładunek bramki | 161nC | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Rodzaj kanału | wzbogacany |
Masa brutto5.566 g
Certyfikaty
Numer taryfy8541290000
Informacje o kodach taryfowych mają charakter wyłącznie informacyjny i nie powinny być interpretowane jako prawnie wiążące. Zalecamy niezależną weryfikację wszystkich klasyfikacji.
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Tranzystory z kanałem N THT INFINEON TECHNOLOGIES,
* IRFP4668PBFIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
null sztuk w magazynie
Razem: no-prices
Sposób pakowania przez producentaTuba = 25 szt
Sposób i koszty dostawy
Płatności