IXBH24N170 IXYS - Tranzystor IGBT
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO247-3
Oznaczenie producenta: IXBH24N170
IXBH24N170
Symbol TME: IXBH24N170
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ tranzystora | IGBT | |
Technologia | BiMOSFET™ | |
Napięcie kolektor-emiter | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 24A | |
Moc rozpraszana | 250W | |
Obudowa | TO247-3 | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 230A | |
Montaż | THT | |
Ładunek bramki | 0,14µC | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Czas załączania | 190ns | |
Czas wyłączania | 1285ns | |
Właściwości elementów półprzewodnikowych | wysokonapięciowa |
Masa brutto6.14 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Tranzystory IGBT THT IXYS,
* IXBH24N170Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
null w magazynie TME
Razem: no-prices
Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych
Sposób pakowania przez producentaTuba = 30 szt