IXTA96P085T IXYS - Tranzystor P-MOSFET
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; TO263
Oznaczenie producenta: IXTA96P085T
IXTA96P085T
Symbol TME: IXTA96P085T
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ tranzystora | P-MOSFET | |
Technologia | TrenchP™ | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Napięcie dren-źródło | -85V | |
Prąd drenu | -96A | |
Moc rozpraszana | 298W | |
Obudowa | TO263 | |
Napięcie bramka-źródło | ±15V | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 13mΩ | |
Montaż | SMD | |
Ładunek bramki | 180nC | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Rodzaj kanału | wzbogacany | |
Czas gotowości | 55ns |
Masa brutto1.537 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Tranzystory z kanałem P SMD IXYS,
* IXTA96P085TIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
null w magazynie TME
Razem: no-prices
Sposób pakowania przez producentaTuba = 50 szt