IXTP26P10T IXYS - Tranzystor P-MOSFET
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns
Oznaczenie producenta: IXTP26P10T
IXTP26P10T
Symbol TME: IXTP26P10T
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ tranzystora | P-MOSFET | |
Technologia | TrenchP™ | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Napięcie dren-źródło | -100V | |
Prąd drenu | -26A | |
Moc rozpraszana | 150W | |
Obudowa | TO220AB | |
Napięcie bramka-źródło | ±15V | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 90mΩ | |
Montaż | THT | |
Ładunek bramki | 52nC | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Rodzaj kanału | wzbogacany | |
Czas gotowości | 70ns |
Masa brutto2.075 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Tranzystory z kanałem P THT IXYS,
* IXTP26P10TIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
null w magazynie TME
Razem: no-prices
Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych
Sposób pakowania przez producentaTuba = 50 szt