MSCSM120AM027CT6AG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 584A; SP6C; Idm: 1400A; 2,97kW
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
MSCSM120AM027CT6AG
Symbol TME:
MSCSM120AM027CT6AG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 584A | |
Obudowa | SP6C | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody równoległe, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 3,5mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 1400A | |
Moc rozpraszana | 2,97kW | |
Technologia | SiC | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto300 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM027CT6AGIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 759.85 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 934.61 EUR
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta