MSCSM120AM11CT3AG
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 202A; SP3F; Press-in PCB; SiC
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaczenie producenta:
MSCSM120AM11CT3AG
Symbol TME:
MSCSM120AM11CT3AG
Specyfikacja
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | dioda SiC/tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 202A | |
Obudowa | SP3F | |
Topologia | półmostek MOSFET + diody równoległe, termistor NTC | |
Montaż elektryczny | Press-in PCB | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 10,4mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 500A | |
Moc rozpraszana | 1067W | |
Technologia | SiC | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto110 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM11CT3AGIlość sztuk (Wielokrotność: 3)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 3 szt - 287.65 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 353.80 USD
Oferta dostępna dla zalogowanego Klienta