Przeglądasz stronę dla klientów z: Polska. Sugerowana wersja serwisu dla Ciebie to USA / US

+1 300 000 produktów w ofercie

6000 paczek dziennie

+300 000 klientów ze 150 krajów

Zadzwoń +48 42 645 55 55

Quick Buy Ulubione

Zmiany w systemie e-Faktur (KSeF) - Ważne informacje dla klientów biznesowych.

Tutaj dowiesz się więcej

Trwa przetwarzanie danych

Twój limit kredytowy został przekroczony. Zamówienie zostanie przyjęte, ale nie będzie zrealizowane. Nieustalony zostanie również harmonogram dostaw dla zamówionych artykułów. Skontaktuj się z pracownikiem TME.

Operacja została pomyślnie wykonana.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie.

Producent	ROHM SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora	P-MOSFET
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	-40V
Prąd drenu	-35A
Prąd drenu w impulsie	-70A
Moc rozpraszana	56W
Obudowa	DPAK, TO252
Napięcie bramka-źródło	±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia	24mΩ
Montaż	SMD
Ładunek bramki	38nC
Rodzaj opakowania	rolka, taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany

RD3G03BATTL1 ROHM SEMICONDUCTOR - Tranzystor P-MOSFET

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W

Oznaczenie producenta:
RD3G03BATTL1

Symbol TME:
RD3G03BATTL1

Specyfikacja

ZOBACZ WIDEO