Przeglądasz stronę dla klientów z: Polska. Sugerowana wersja serwisu dla Ciebie to USA / US

+1 500 000 produktów w ofercie

6000 paczek dziennie

+300 000 klientów ze 150 krajów

Quick Buy Ulubione
Koszyk

Zmiany w systemie e-Faktur (KSeF) - Ważne informacje dla klientów biznesowych.

Tutaj dowiesz się więcej

SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY - Tranzystor P-MOSFET

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23

Oznaczenie producenta:
SQ2325ES-T1_GE3

Symbol TME:
SQ2325ES-T1-GE3

Specyfikacja

Producent
VISHAY
Typ tranzystora
P-MOSFET
Polaryzacja
unipolarny
Napięcie dren-źródło
-150V
Prąd drenu
-1A
Prąd drenu w impulsie
-2A
Moc rozpraszana
1W
Obudowa
SOT23
Napięcie bramka-źródło
±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia
4,4Ω
Montaż
SMD
Ładunek bramki
10nC
Rodzaj opakowania
rolka, taśma
Rodzaj kanału
wzbogacany
Zastosowanie
branża motoryzacyjna
Masa brutto0.025 g
Certyfikaty

ZOBACZ WIDEO

Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Tranzystory z kanałem P SMD VISHAY
*
SQ2325ES-T1_GE3
Produkt wycofany z oferty
Skorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Sposób pakowania przez producentaRolka = 3 000 szt