STGAP2SICSANCTR
IC: driver; sterownik bramkowy SiC MOSFET; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Producent: STMicroelectronics
Oznaczenie producenta:
STGAP2SICSANCTR
Symbol TME:
STGAP2SICSANCTR
Specyfikacja
Producent | STMicroelectronics | |
Typ układu scalonego | driver | |
Rodzaj układu scalonego | sterownik bramkowy SiC MOSFET | |
Obudowa | SO8 | |
Prąd wyjściowy | -4...4A | |
Napięcie wyjściowe | 1,7kV | |
Liczba kanałów | 1 | |
Właściwości układów scalonych | separacja galwaniczna | |
Montaż | SMD | |
Temperatura pracy | -40...125°C | |
Rodzaj opakowania | rolka, taśma |
Napięcie zasilania
- 3,1...5,25V
Masa brutto1 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRIlość sztuk (Wielokrotność: 2 500)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 2500 szt - 1.01 USDCena brutto dla ilości od 2500 szt - 1.24 USD