IXA30RG1200DHGLB
Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXA30RG1200DHGLB
Simbol TME:
IXA30RG1200DHGLB
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | |
Topologie | boost chopper | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 30A | |
Carcasă | SMPD-B | |
Montare electrică | SMT | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 75A | |
Putere disipată | 147W | |
Tehnologie | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Masa brută7.95 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXA30RG1200DHGLBNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
34 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 6.08 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 7.36 USD
Produs disponibil doar până la epuizarea stocurilor din depozit
Metoda de ambalare de către producătorTub = 20 buc