IXBN42N170A
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B; 313W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXBN42N170A
Simbol TME:
IXBN42N170A
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,7kV | |
Curent de colector | 21A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 265A | |
Putere disipată | 313W | |
Tehnologie | BiMOSFET™ | |
Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută36.86 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXBN42N170ANumăr de bucăți (Multiplu: 1)
4 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 37.60 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 45.50 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 33.80 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 40.90 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 31.51 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 38.12 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc