QS8J2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J2TR
Availability: OutOfStock

Tranzistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W; TSMT8

Producator: ROHM SEMICONDUCTOR

Denumire producător:

QS8J2TR

Simbol TME:

QS8J2TR

Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 1.23 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 1.48 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 0.78 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 0.94 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 100 buc - 0.52 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 100 buc - 0.63 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 500 buc - 0.41 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 500 buc - 0.49 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 1000 buc - 0.37 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1000 buc - 0.44 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 3000 buc - 0.32 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3000 buc - 0.38 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 24000 buc - 0.28 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 24000 buc - 0.34 EUR

Număr de bucăți (Multiplu: 1)

Producător	ROHM SEMICONDUCTOR
Tip tranzistor	P-MOSFET x2
Polarizare	unipolar
Tensiune drenă-sursă	-12V
Curent drenă	-4A
Curent de drenă în impuls	-12A
Putere disipată	1,5W
Carcasă	TSMT8
Tensiune poartă-sursă	±10V
Rezistenţă în timpul funcţionării	132mΩ
Montare	SMD
Încărcătură poartă	20nC
Subtip ambalaj	bandă, rolă
Subtip canal	îmbogăţit
Versiune	ESD