+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

SH8JB5TB1

Tranzistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8,5A; Idm: -34A; 2W; SO8

Producator: ROHM SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
SH8JB5TB1
Simbol TME:
SH8JB5TB1

Specificații

Producător
ROHM SEMICONDUCTOR
Tip tranzistor
P-MOSFET x2
Polarizare
unipolar
Tensiune drenă-sursă
-40V
Curent drenă
-8,5A
Curent de drenă în impuls
-34A
Putere disipată
2W
Carcasă
SO8
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
18,7mΩ
Montare
SMD
Încărcătură poartă
51nC
Subtip ambalaj
bandă, rolă
Subtip canal
îmbogăţit
Versiune
ESD
Masa brută0.1 g
Certificate

VEDEŢI FILMULEŢUL

Vedeți alte produse din această categorie: Tranzistori Multicanal ROHM SEMICONDUCTOR,
*
SH8JB5TB1
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 2 500)
Produs livrat la comandă specială