+1 500 000 produse în ofertă
6000 colete expediate zilnic
+300 000 clienţi din 150 de ţări
Vă informăm că în data de 12.07.2026. între orele 08:00 -11:00 (CEST) pot apărea probleme legate de accesul la site şi la comenzile on-line. Ne cerem scuze pentru neplăcerile create.
Producător | IXYS | ||
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune drenă-sursă | 100V | ||
Curent drenă | 590A | ||
Carcasă | Y3-DCB | ||
Montare electrică | FASTON terminali, înşurubare | ||
Polarizare | unipolar | ||
Rezistenţă în timpul funcţionării | 2,1mΩ | ||
Curent de drenă în impuls | 2,36kA | ||
Putere disipată | 2,2kW | ||
Tehnologie | HiPerFET™ | ||
Subtip canal | îmbogăţit | ||
Încărcătură poartă | 2µC | ||
Timp de restabilire | 300ns | ||
Tensiune poartă-sursă | ±20V | ||
Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin | ||
Montare mecanică | înşurubare |