+1 500 000 izdelkov v ponudbi

7000 paketov dnevno

+300 000 strank iz 150 držav

Quick Buy Priljubljeno
Košarica

BGH50N65HS1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Proizvajalec: BASiC SEMICONDUCTOR

Proizvajalčeva oznaka:
BGH50N65HS1
Simbol TME:
BGH50N65HS1

Specifikacija

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
50A
Power dissipation
357W
Case
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20V
Pulsed collector current
200A
Mounting
THT
Gate charge
308nC
Kind of package
tube
Turn-on time
54ns
Turn-off time
256ns
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Bruto teža6.26 g
Certifikati

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je uvoznik izdelkov te znamke

Poglejte preostale izdelke iz te kategorije: IGBT THT tranzistorji BASiC SEMICONDUCTOR,
*
BGH50N65HS1
34 na zalogi pri TME
Neto cena za količine od 1 kos - 9.51 EURBruto cena za količine od 1 kos - 11.60 EUR
Neto cena za količine od 5 kos - 8.55 EURBruto cena za količine od 5 kos - 10.43 EUR
Neto cena za količine od 30 kos - 7.55 EURBruto cena za količine od 30 kos - 9.21 EUR
Neto cena za količine od 150 kos - 6.33 EURBruto cena za količine od 150 kos - 7.72 EUR
Neto cena za količine od 600 kos - 6.11 EURBruto cena za količine od 600 kos - 7.45 EUR
Število kosov (Večkratnost: 1)
Izdelek je na voljo samo do izčrpanja zaloge
Način pakiranja s strani proizvajalcaCevi = 30 kos