G3R20MT12N
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Позначення виробника:
G3R20MT12N
Символ TME:
G3R20MT12N
Специфікація
Виробник | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | |
Струм стока | 74А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 20мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 240А | |
Потужність розсіювання | 365Вт | |
Технологія | G3R™, SiC | |
Вид каналу | збагачений | |
Напруга затвор-джерело | -5...15В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто35.39 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NКількість штук (Кратність: 1)
105 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 47.65 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 47.65 EUR
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 45.79 EURЦіна брутто для партій від 5 pcs - 45.79 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 44.92 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 44.92 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs