IXFN32N80P
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 29А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN32N80P
Символ TME:
IXFN32N80P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 800В | |
Струм стока | 29А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,27Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 250А | |
Потужність розсіювання | 625Вт | |
Технологія | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 150нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто36.98 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 29.50 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 29.50 EUR
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 26.61 EURЦіна брутто для партій від 3 pcs - 26.61 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 23.41 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 23.41 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs