APTM100A13DG
Modul; dioda/tranzistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V
Výrobce: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označení výrobce:
APTM100A13DG
Symbol TME:
APTM100A13DG
Specifikace
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Struktura polovodiče | dioda/tranzistor | ||
Napětí drain-source | 1kV | ||
Proud drainu | 49A | ||
Kryt | SP6C | ||
Topologie | polomůstek MOSFET + sériové diody | ||
Elektrická montáž | konektory FASTON, přišroubováním | ||
Odpor v sepnutém stavu | 156mΩ | ||
Impulsní proud kolektoru | 240A | ||
Ztrátový výkon | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Napětí gate-source | ±30V | ||
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto300 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100A13DGPočet kusů (Násobnost: 5)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 5 ks - 189.65 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 229.47 EUR
Nabídka je k dispozici pro přihlášené zákazníky