APTM100H45SCTG
Modul; dioda SiC/tranzistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; Ugs: ±30V
Výrobce: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označení výrobce:
APTM100H45SCTG
Symbol TME:
APTM100H45SCTG
Specifikace
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Struktura polovodiče | dioda SiC/tranzistor | ||
Napětí drain-source | 1kV | ||
Proud drainu | 14A | ||
Kryt | SP4 | ||
Topologie | můstek H + paralelní diody, termistor NTC | ||
Elektrická montáž | konektory FASTON, přišroubováním | ||
Odpor v sepnutém stavu | 0,54Ω | ||
Impulsní proud kolektoru | 72A | ||
Ztrátový výkon | 357W | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Napětí gate-source | ±30V | ||
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto160 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H45SCTGPočet kusů (Násobnost: 6)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 6 ks - 142.65 EURHrubá cena pro množství od 6 ks - 172.60 EUR
Nabídka je k dispozici pro přihlášené zákazníky