APTM120DA30T1G
Modul; dioda/tranzistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A
Výrobce: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označení výrobce:
APTM120DA30T1G
Symbol TME:
APTM120DA30T1G
Specifikace
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Struktura polovodiče | dioda/tranzistor | ||
Napětí drain-source | 1,2kV | ||
Proud drainu | 23A | ||
Kryt | SP1 | ||
Topologie | boost chopper, termistor NTC | ||
Elektrická montáž | Press-in PCB | ||
Odpor v sepnutém stavu | 0,36Ω | ||
Impulsní proud kolektoru | 195A | ||
Ztrátový výkon | 657W | ||
Technologie | POWER MOS 8® | ||
Napětí gate-source | ±30V | ||
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto80 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30T1GPočet kusů (Násobnost: 15)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 15 ks - 54.82 EURHrubá cena pro množství od 15 ks - 66.33 EUR
Nabídka je k dispozici pro přihlášené zákazníky