IXTN80N30L2
Modul; jeden tranzistor; 300V; 80A; SOT227B; přišroubováním; 735W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN80N30L2
Symbol TME:
IXTN80N30L2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 300V | |
Proud drainu | 80A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 38mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Ztrátový výkon | 735W | |
Technologie | Linear L2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 660nC | |
Doba zotavení | 485ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN80N30L2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 37.41 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 45.26 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 33.71 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 40.78 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 29.80 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 36.06 EUR