+1 500 000 toodet pakkumises

7000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

APT25GN120B2DQ2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max

Tootja: MICROCHIP TECHNOLOGY

Tootja tähistus:
APT25GN120B2DQ2G
TME Sümbol:
APT25GN120B2DQ2G

Spetsifikatsioon

Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop
Collector-emitter voltage
1,2kV
Collector current
33A
Power dissipation
272W
Case
T-Max
Gate-emitter voltage
±30V
Pulsed collector current
75A
Mounting
THT
Gate charge
155nC
Kind of package
tube
Turn-on time
39ns
Turn-off time
560ns
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Brutomass6 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: Transistorid IGBT THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APT25GN120B2DQ2G
0 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 12.49 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 15.49 EUR
Netohind koguste puhul alates 3 tk - 11.20 EURKoguste brutohind alates 3 tk - 13.88 EUR
Netohind koguste puhul alates 10 tk - 9.95 EURKoguste brutohind alates 10 tk - 12.34 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)
Minimaalne tellitav kogus: 1.
Mitmekordsus: 1.