+1 500 000 toodet pakkumises

6000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Teatame, et kuupäeval 26.07.2026. ajavahemikus 02:00 - 04:00 (CEST) võib esineda probleeme juurdepääsuga teenusele ja on-line tellimisele. Vabandame ebamugavuste pärast.

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

Andmeid töödeldakse

Teie krediidilimiit on ületatud. Tellimus on vastu võetud kuid ei realiseerita. Ei määratleta ka tellitud artiklite tarne harmonogrammi. Võtke ühendust TME töötajaga.

Operatsioon teostati vaikimisi.

Ilmnes ootamatu viga. Proovi uuesti.

Manufacturer	IXYS
Type of semiconductor module	MOSFET transistor
Semiconductor structure	single transistor
Drain-source voltage	650V
Drain current	108A
Case	SOT227B
Electrical mounting	screw
Polarisation	unipolar
On-state resistance	24mΩ
Pulsed drain current	240A
Power dissipation	890W
Technology	HiPerFET™, X2-Class
Kind of channel	enhancement
Gate charge	240nC
Reverse recovery time	220ns
Gate-source voltage	±40V
Mechanical mounting	screw

IXFN120N65X2

Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A

Spetsifikatsioon