+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Soita: +48 42 645 54 44

Rekisteröidy

Quick Buy Suosikit

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	yksittäinen transistori
Nielu-lähde jännite	1,7kV
Nielun sähkövirta	70A
Kotelo	SOT227B
Sähköasennus	ruuvattu
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	20mΩ
Nieluvirta impulssissa	300A
Sirontateho	523W
Teknologia	G3R™, SiC
Kanaalin laji	avaustila
Hila-lähde jännite	-5...15V
Mekaninen asennus	ruuvattu

G3R20MT17N

Moduuli; yksittäinen transistori; 1,7kV; 70A; SOT227B; ruuvattu

Tavaraseloste