G3R20MT12N
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 1,2kV; 74A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 240A
Κατασκευαστής: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
G3R20MT12N
Σύμβολο TME:
G3R20MT12N
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | ||
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | ||
Τάση πυρήνα - πηγής | 1,2kV | ||
Ρεύμα αποστράγγισης | 74A | ||
Περίβλημα | SOT227B | ||
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | ||
Πόλωση | αμφιπολικό | ||
Αγώγιμη αντίσταση | 20mΩ | ||
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 240A | ||
Ισχύς απαγωγής | 365W | ||
Τεχνολογία | G3R™, SiC | ||
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | ||
Τάση πύλης - πηγής | -5...15V | ||
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος35.39 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
105 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 47.75 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 59.21 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 45.88 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 56.89 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 45.01 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 55.81 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ