1N5809US
Diodo: raddrizzatore; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ir: 5uA
NOVITÀ
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
1N5809US
Simbolo TME:
1N5809US
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di diodi | raddrizzatore | |
Montaggio | SMD | |
Tensione invertita max. | 0,1kV | |
Corrente di conduzione | 6A | |
Tempo di prontitudine | 30ns | |
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | |
Capacita | 60pF | |
Cassa | MELF | |
Tensione di conduzione max. | 0,875V | |
Corrente di conduzione max. | 6A | |
Corrente nell'impulso max. | 125A | |
Corrente di dispersione | 5µA |
Peso lordo0.11 g
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* 1N5809USQuantità (Molteplicità: 1)
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