AB2M040120Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
AB2M040120Z
Simbolo TME:
AB2M040120Z
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 51A | |
Corrente di drain pulsata | 128A | |
Potenza dissipata | 348W | |
Cassa | TO247-4 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 40mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 90nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | Uscita Kelvin | |
Applicazione | settore automotive |
Peso lordo1 g
Certificati
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* AB2M040120ZQuantità (Molteplicità: 300)
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