APT29F100B2
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 30A; 1040W; T-Max
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT29F100B2
Simbolo TME:
APT29F100B2
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | POWER MOS 8® | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 30A | |
Potenza dissipata | 1,04kW | |
Cassa | T-Max | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 440mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 260nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6 g
Certificati
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* APT29F100B2Quantità (Molteplicità: 1)
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