APT37M100B2
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 23A; Idm: 140A; 1135W
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT37M100B2
Simbolo TME:
APT37M100B2
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | POWER MOS 8® | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 23A | |
Corrente di drain pulsata | 140A | |
Potenza dissipata | 1135W | |
Cassa | TO247MAX | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,33Ω | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 305nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6 g
Certificati
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* APT37M100B2Quantità (Molteplicità: 1)
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